Quantum Mott transition in a silicon quantum dot

Дата и время публикации : 1998-02-21T00:25:45Z

Авторы публикации и институты :
S. V. Vyshenski
U. Zeitler
R. J. Haug

Ссылка на журнал-издание: Ссылка на журнал-издание не найдена
Коментарии к cтатье: 6 pages, 2 figures in eps
Первичная категория: cond-mat.mes-hall

Все категории : cond-mat.mes-hall

Краткий обзор статьи: Considering a double-barrier structure formed by a silicon quantum dot covered by natural oxide, we derive simple conditions for the conductance of the dot to become a step-like function of the number of doping atoms inside the dot, with negligible dependence on the actual position of the dopants. The found conditions are feasible in experimentally available structures.

Category: Physics