Дата и время публикации : 1998-02-21T00:25:45Z
Авторы публикации и институты :
S. V. Vyshenski
U. Zeitler
R. J. Haug
Ссылка на журнал-издание: Ссылка на журнал-издание не найдена
Коментарии к cтатье: 6 pages, 2 figures in eps
Первичная категория: cond-mat.mes-hall
Все категории : cond-mat.mes-hall
Краткий обзор статьи: Considering a double-barrier structure formed by a silicon quantum dot covered by natural oxide, we derive simple conditions for the conductance of the dot to become a step-like function of the number of doping atoms inside the dot, with negligible dependence on the actual position of the dopants. The found conditions are feasible in experimentally available structures.