Stokes shift in quantum wells: trapping versus thermalization

Дата и время публикации : 1996-09-17T16:18:31Z

Авторы публикации и институты :
A. Polimeni (Istituto Nazionale di Fisica della Materia – Dipartimento di Fisica, Universita’ di Roma “La Sapienza”, Roma, Italy)
A. Patanè (Istituto Nazionale di Fisica della Materia – Dipartimento di Fisica, Universita’ di Roma “La Sapienza”, Roma, Italy)
M. Grassi Alessi (Istituto Nazionale di Fisica della Materia – Dipartimento di Fisica, Universita’ di Roma “La Sapienza”, Roma, Italy)
M. Capizzi (Istituto Nazionale di Fisica della Materia – Dipartimento di Fisica, Universita’ di Roma “La Sapienza”, Roma, Italy)
F. Martelli (Fondazione Ugo Bordoni, Roma, Italy)
A. Bosacchi (Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto Materiali Speciali per l’Elettronica e Magnetismo, Parma, Italy)
S. Franchi (Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto Materiali Speciali per l’Elettronica e Magnetismo, Parma, Italy)

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Коментарии к cтатье: File apstex, 12 p. + 4 Figures, to appear on Phys. Rev. B (Brief Reports.), 15 Dec. 1996. The figures will be faxed upon request. E-mail:capizzi@roma1.infn.it Fax: +39-6-4957697
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Краткий обзор статьи: Low temperature photoluminescence and photoluminescence excitation measurements have been performed in a set of InGaAs/GaAs samples with different indium molar fraction, well width, growth conditions and post-growth treatment. This has allowed to change in a controlled way the degree and source of disorder in the samples, thus resulting in an excitonic absorption linewidth varying between 1 and 18 meV, and an ensueing Stokes shift changing between zero and 8 meV. The conditions of validity of two different models relating the Stokes shift to the linewidth broadening have been established in terms of different regimes of disorder and temperature. A continuous transition between those regimes has been demonstrated.

Category: Physics