РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БАЗОВОГО МАТРИЧНОГО КРИСТАЛЛА ДЛЯ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫХ АНАЛОГОВЫХ МИКРОСХЕМ ЯДЕРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов

Открытое акционерное общество «МНИЛИ», г. Минск e-mail: oleg_dvornikov@tut.by Научно-исследовательское учреждение

«Национальный научно-учебный центр физики частиц и высоких энергий Белгосуниверситета», г. Минск

1. Цель проекта: создание и исследование экспериментального образца базового матричного кристалла (БМК), позволяющего реализовать широкий ряд аналоговых интегральных микросхем (ИС) ядерной электроники, в том числе каналов аналоговой обработки сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоэлектронных умножителей.

Ожидаемый результат: Будут разработаны: технологический маршрут; конструкторская документация для изготовления БМК; конструкторская документация для изготовления специализированной аналоговой ИС ядерной электроники.

Разрабатываемый техмаршрут должен обеспечить реализацию следующих интегральных элементов и их параметров:

1) п-р-п- транзистор, fTMAX > 8 ГГц, р > 100. VAF > 100 В, BVCE0> 10 В;

2) р-п-р- транзистор, fTMAX > 8 ГГц, р > 100, VAF > 50 В, BVCE0> 10 В;

3) p-UTU минимальных размеров, напряжение отсечки 1,0 В < VTH < 2,0 В. максимальный ток стока 200 мкА < 1пщх 400 мкА, прибивное напряжение исток-сток BVSD>Ю В;

4) высокоомные резисторы, Rs= 1,5 кОм/квадрат;

5) низкоомные резисторы, Rs= 150 Ом/квадрат;

6) конденсаторы. С0 = 0,5 фФ/мкм2.

Будут изготовлены и исследованы экспериментальные образцы БМК и специализированной аналоговой ИС.

2. Пути достижения цели: В рамках проекта предполагайся решение следующих задач: разработка и оптимизация технологического маршрута изготовления комплементарных биполярных транзисторов с граничной частотой усиления более 8 ГГц и полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа; разработка конструкций интегральных элементов (вертикальных n-р-n-,p-n-p-транзисторов, p-ПТП, резисторов, конденсаторов типа поликремний- диэлектрик- поликремний); разработка конструкции макрофрагмента и БМК; идентификация Spice-параметров моделей; разработка, изготовление и исследование специализированной аналоговой ИС для регистрации импульсных сигналов с лавинных фотодиодов и кремниевых фотоэлектронных умножителей.

3. Значимость результата для России и Беларуси: В рамках проекта будет создан новый технологический маршрут изготовления аналоговых микросхем, близкий по параметрам к маршруту HJV фирмы Plessey, а также БМК, превышающий по уровню параметров существующие в России изделия, в том числе:

- БМК НПО «Автоматики» (http://www.npoa.ru);

-БМК«Руль» 5515ХТ ОАО «Ангстрем» (http://www. angstrem.ru);

- К1451БК1У, созданный дизайн центром «Союз» и ОАО «Ангстрем» (http://www.dcsoyuz.com);

- НБК1501Т, выполненный по КМОП технологии на ФГУП «ФНПЦ НИИИС

Страница 1 of 212
Category: Разное