Разработка и исследование синтетических монокристаллических алмазных детекторов ионизирующих излучений

отжиг. Очистка производилась в органических растворителях с последующим кипячением в кислотах. Напыление производилось ионно-плазменным методом на установке типа УРМ – 013. Отжиг производился в вакууме при температуре 750 °С в течение 60 мин. Толщина покрытия составила 0.3 мкм.

Вольт-амперная характеристика.

clip_image008 Рис.4. Вольт-амперная характеристика алмазного детектора.

Вольт-амперная характеристика алмазного детектора измерялась с помощью ампер-вольтметра В7-49, имеющего предел чувствительности 10-12А.

ВАХ (Рис.4) симметрична, что свидетельствует о хорошем качестве контактных покрытий [7]. Однако, токи утечки больше, чем можно было бы ожидать, исходя из литературных данных по проводимости алмаза [1,6]. Видимо, преобладает поверхностная проводимость, возможна частичная графитизация или гидрогенизация поверхности (абсорбция водорода, приводящая к тому, что насыщенная водородом поверхность ведет себя как алмаз р-типа [8]). Для подавления этого эффекта необходима модификация процедуры подготовки поверхности алмаза.

Отклик на заряженные частицы

clip_image009

Рис. 5. Схема съема сигнала с алмазного детектора

clip_image011clip_image012

Рис. 6. Отклик алмазного детектора на частицу из бета-спектра 90Sr.

Первичные испытания алмазного детектора проводились с помощью бета источника 90Sr. Схема включения представлена на Рис. 5. Сигнал снимался с помощью малошумящего зарядочувтсвительного усилителя “Тетрод” (разработан в НЦ ФЧВЭ, изготовлен на ПО “Интеграл”),

Страница 3 of 6« First...34...Last »
Category: ЛФЧ